Current Transport Mechanism in High-kappa Cerium Oxide Gate Dielectrics Grown on Germanium Substrates
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Rahman, M. S.
Evangelou, E. K.
Androulidakis, I. I.
Dimoulas, A.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Electrochemical and Solid State Letters
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The current transport mechanism of Pt/CeO(2)/p-Ge metal-oxide-semiconductor devices is investigated. The results are based on the analyses of gate current vs gate voltage curves at temperatures ranging from 295 to 375 K. At low to medium electric fields (similar to 0.1 to 0.9 MV/cm) the main current conduction mechanism is Schottky emission, while Poole-Frankel conduction is the dominant mechanism at higher fields across the oxide (similar to 1.2 to 2.1 MV/cm). The barrier height (Phi(b)) at the Pt/CeO(2) interface is found to be equal to 0.91 +/- 0.02 eV, while the trap energy level (Phi(t)) responsible for the Poole-Frenkel conduction is estimated to be around 0.60 +/- 0.03 eV.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
cerium compounds, germanium, high-k dielectric thin films, mis devices, mis structures, platinum, poole-frenkel effect, schottky barriers, devices, films
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000264283100022
http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=ESLEF600001200000500H165000001&idtype=cvips&gifs=yes&ref=no
http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=ESLEF600001200000500H165000001&idtype=cvips&gifs=yes&ref=no
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Επιστημών και Τεχνολογιών. Τμήμα Βιολογικών Εφαρμογών και Τεχνολογιών