Influence of synthesis process on the dielectric properties of B-doped SiC powders

Φόρτωση...
Μικρογραφία εικόνας

Ημερομηνία

Συγγραφείς

Agathopoulos, S.

Τίτλος Εφημερίδας

Περιοδικό ISSN

Τίτλος τόμου

Εκδότης

Elsevier

Περίληψη

Τύπος

Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο

Είδος περιοδικού

peer reviewed

Είδος εκπαιδευτικού υλικού

Όνομα συνεδρίου

Όνομα περιοδικού

Ceramics International

Όνομα βιβλίου

Σειρά βιβλίου

Έκδοση βιβλίου

Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος

Περιγραφή

Fine powders (similar to 0.7 mu m) of SiC doped with 3 mol% and 10 mol% B were successfully produced by mechanical activation assisted self-propagating high-temperature synthesis (MASHS). The experimental results showed that the presence of B caused a reduction in the combustion temperature, shrinkage of the crystal lattice, an increase in the tendency of the grains to be crystallized, and a decrease in the dielectric properties in the frequency range between 8.2 and 12.4 GHz, specifically the real (epsilon') and the imaginary parts (epsilon '') of complex permittivity and the loss tangent (tan delta). Analysis of the results suggests that B ions should be preferably accommodated in the Si sites of the SiC lattice and cause a reduction in the number of defects (V-si, V-c, and C-si), which results in a decrease in the dielectric properties. Comparison of the experimental results of this study with results reported in similar earlier studies reveals that the influence of B on the dielectric properties of the B-SiC powders depends strongly on the synthesis process. (C) 2011 Elsevier Ltd and Techna Group S.r.l. All rights reserved.

Περιγραφή

Λέξεις-κλειδιά

defects, microstructure-final, dielectric properties, sic, combustion synthesis, assisted combustion synthesis, silicon-carbide powder, mechanical-activation, mechanochemical-activation, carbothermal reduction, high-temperature, native defects, solid-solution, boron, aluminum

Θεματική κατηγορία

Παραπομπή

Σύνδεσμος

<Go to ISI>://000302522700094
http://ac.els-cdn.com/S0272884211011072/1-s2.0-S0272884211011072-main.pdf?_tid=506ec83e865cc3c3f2da8c4aafd65bcd&acdnat=1339492778_df5d7f91a73c4839a9b983256fcfe562

Γλώσσα

en

Εκδίδον τμήμα/τομέας

Όνομα επιβλέποντος

Εξεταστική επιτροπή

Γενική Περιγραφή / Σχόλια

Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος

Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών

Πίνακας περιεχομένων

Χορηγός

Βιβλιογραφική αναφορά

Ονόματα συντελεστών

Αριθμός σελίδων

Λεπτομέρειες μαθήματος

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced