1.2 K Shubnikov-de Haas measurements and self-consistent calculation of silicon spreading in delta- and slab-doped In0.53Ga0.47As grown by molecular beam epitaxy
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
McElhinney, M.
Vogele, B.
Holland, M. C.
Stanley, C. R.
Skuras, E.
Long, A. R.
Johnson, E. A.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
American Institute of Physics
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Applied Physics Letters
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
Magnetotransport measurements are reported for In0.53Ga0.47As layers grown by molecular beam epitaxy (MBE) at different substrate temperatures (T-s) and either delta or slab-doped with Si. Multiple subband densities deduced from the Fourier analysis of 1.2 K Shubnikov-de Haas measurements are compared with those derived from self-consistent calculations which include nonparabolicity and the doping profile width w(Si) as a fitting parameter. Significant spreading of the Si donors away from the doping plane is deduced for deposition at T-s approximate to 520 degrees C, while no measurable migration is inferred for T-s less than or equal to 470 degrees C, leading to near-ideal delta-doping behavior. Contrary to previous results [McElhinney et al., J. Cryst. Growth 150, 266 (1995)], no evidence for amphoteric behavior has been found for Si areal densities up to 4 X 10(12) cm(-2). (C) 1996 American Institute of Physics.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
gaas, modfets, si
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://A1996TU82800022
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών