Wettability and Interfacial Energies in Sic-Liquid Metal Systems
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Nikolopoulos, P.
Agathopoulos, S.
Angelopoulos, G. N.
Naoumidis, A.
Grubmeier, H.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Chapman & Hall
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Journal of Materials Science
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The sessile drop technique is used to measure the contact angles of molten Si, Sn, Cu and Ni in contact with mono- and polycrystalline alpha-SiC as well as CVD beta-SiC in purified argon atmosphere and at various temperatures. The contact angle of silicon, near its melting point, is about 38-degrees on a mono- as well as polycrystalline alpha-SiC substrate and about 41.5-degrees on beta-SiC. Tin does not wet the SiC. Using data from the available literature, the work of adhesion and the interfacial energy between SiC and Si or Sn were calculated. In the alpha-SiC-Sn system, both quantities are linearly dependent on temperature in the investigated temperature range 523-1073 K. The metals copper and nickel react with silicon carbide. The silicon content of the copper drop depends on the annealing temperature. The nickel drop after cooling forms the compound Ni3Si2. The interferometric measured groove angle of SiC (thermal etching) in vacuum at 2020 K gives a mean value of 157.6 +/- 5.8-degrees.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://A1992HA17000021
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών