Microwave Absorption Properties of Ni-Foped SiC Powders in the 2-18 GHz Frequency Range
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Jin, H. B.
Li, D.
Cao, M. S.
Dou, Y. K.
Chen, T.
Wen, B.
Agathopoulos, S.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Chinese Physical Society and IOP Publishing Ltd.
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Chinese Physics Letters
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
Ni-doped SiC powder with improved dielectric and microwave absorption properties was prepared by self-propagating high-temperature synthesis (SHS). The XRD analysis of the as-synthesized powders suggests that Ni is accommodated in the sites of Si in the lattice of SiC, which shrinks in the presence of Ni. The experimental results show an improvement in the dielectric properties of the Ni-doped SiC powder in the frequency range of 2-18 GHz. The bandwidth of the reflection loss below -10 dB is broadened from 3.04 (for pure SiC) to 4.56 GHz (for Ni-doped SiC), as well as the maximum reflection loss of produced powders from 13.34 to 22.57 dB, indicating that Ni-doped SiC could be used as an effective microwave absorption material.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
cubic silicon-carbide, dielectric-properties, electronic-structure, combustion synthesis, carbothermal reduction, solid-solution, impurities, nanocomposites, permittivity, composite
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000288120900056
http://iopscience.iop.org/0256-307X/28/3/037701/pdf/0256-307X_28_3_037701.pdf
http://iopscience.iop.org/0256-307X/28/3/037701/pdf/0256-307X_28_3_037701.pdf
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών