Properties and density of states of the interface between silicon and carbon films rich in sp(3) bonds
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Logothetidis, S.
Evangelou, E.
Konofaos, N.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Journal of Applied Physics
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The interface states between n-type Si and amorphous carbon films rich in sp(3) bonds grown by rf magnetron sputtering at room temperature have been examined. The investigation aimed to examine the effects of the low substrate temperature and the absence of hydrogen during the growth process on the density of interface states. Thus, comparing the values of the interface states to those reported for devices grown by other techniques, the best possible interface required for electronic applications is suggested. The conductance technique was used to measure the density of the interface states. This method revealed a value of the traps for the n-Si(100)-carbon interface of the order of 10(10) cm(-2) eV(-1), nearly one order of magnitude lower than any other previously reported for the same configuration. (C) 1997 American Institute of Physics.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
amorphous-carbon, diamond
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://A1997YG47300051
http://link.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000082000010005017000001
http://link.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000082000010005017000001
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Επιστημών και Τεχνολογιών. Τμήμα Βιολογικών Εφαρμογών και Τεχνολογιών