A new masking method for protecting silicon surfaces during anisotropic silicon wet etching
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Normand, P.
Beltsios, K.
Tserepi, A.
Aidinis, K.
Tsoukalas, D.
Cardinaud, C.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Elsevier
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Microelectronic Engineering
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
A room-temperature silicon masking approach based on the exposure of silicon to CHF3-based plasma is explored. This plasma treatment leads to ultra-thin (2-5 nm) films that consist of a fluorocarbon top layer and a sub-oxide lower layer and are appropriate for anisotropic wet etching masks. The mask resistance to anisotropic wet-etchants is studied as a function of film preparation parameters. Defect evolution is examined for two key film preparation conditions. Masks explored compare favourably with common masking materials such as SiO2 or Si3N4 in terms of achievable patterns and processing options compatible with standard silicon integrated circuit technology. In addition, the new masking method can be applied when sidewall-only wet etching of mesa patterns is desired. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
silicon etching, fluorocarbon film, masking, fluorocarbon plasma, silicon micromachining, mesa patterning
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000176594700122
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών