Evolution and control of the structure of a SiO2/semiconductor nanoelectronics material
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Beltsios, K.
Normand, P.
Kapetanakis, E.
Tsoukalas, D.
Travlos, A.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Elsevier
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Microelectronic Engineering
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The study of a silica nanolayer implanted by semiconductor (germanium or silicon) species offers unique insights regarding the structural evolution and, ultimately, the controlled fabrication of nanoelectronics multiphase materials through one or more phase transformation steps. A description integrating important restructuring phenomena identified so far is provided and special emphasis is placed upon the interpretation and consequences of new transmission electron microscopy observations of in situ phase separation of Ge-implanted nanolayers. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
phase separation, glass transition, nanocrystals, electron irradiation, silica, nanolayer, ion-implantation, 2-d arrays, nanocrystals, si
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000176594700087
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών