A new technique for I(DDQ) testing in nanometer technologies
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Tsiatouhas, Y.
Moisiadis, Y.
Haniotakis, T.
Nikolos, D.
Arapoyanni, A.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Integration-the Vlsi Journal
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
I(DDQ) testing has become a widely accepted defect detection technique in CMOS ICs. However, its effectiveness in very deep submicron technologies is threatened by the increased transistor leakage current. In this paper, we propose a technique for the elimination, during testing, of the normal leakage current from the sensing node of a circuit under test. In this way the already known in the open literature I(DDQ) sensing techniques can be applied in the nanometer technologies. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
i(ddq) testing, current monitoring, design for testability, submicron cmos, circuits, design, future, issues
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών και Πληροφορικής