Charge depletion of n(+)-In0.53Ga0.47As potential wells by background acceptor doping
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
American Institute of Physics
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Applied Physics Letters
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
Charge depletion from 20 monolayers of n(+)-In0.53Ga0.47As, uniformly doped with Si donors and embedded within Be-doped In0.53Ga0.47As, has been studied at 1.2 K by magnetotransport measurements. Electron subband energies and densities associated with the n(+)-In0.53Ga0.47As potential well prove sensitive to the presence of the acceptors at concentrations up to 3 X 10(16) cm(-3). Agreement between the experimental data and the electronic subband structure calculated self-consistently by solving the one-dimensional Schrodinger and Poisson equations is excellent. The results suggest that intentional background acceptor doping could be a useful mechanism for tuning subband fillings and energies in potential wells formed by highly confined donors. (C) 1999 American Institute of Physics. [S0003-6951(99)00807-4].
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
delta-doped gaas, insb, absorption, mbe
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000078571400026
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών