Ba Deposition on Si(100)2x1
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Vlachos, D.
Kamaratos, M.
Papageorgopoulos, C.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Solid State Communications
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The Ba deposition on Si(100)2 x 1 at room temperature has been investigated by LEED, AES, TDS, EELS and work function measurements. Ba grows, though disordered, layer by layer with a constant sticking coefficient. Barium on Si(100)2 x 1 gives rise to two adsorption states which exhibit relatively high binding energy for THETA less-than-or-equal-to 2 ML, a strong Ba-Si ionic interaction and relatively low binding energy for THETA > 2 ML where the Ba overlayer has a metallic character. Heating of the Ba-Si interface at T < 700-degrees-C promotes Ba-Si interaction, probably with a tendency to form silicide compounds. Higher temperatures cause the appearance of the 2 x 4, 2 x 1 and 2 x 3 diffraction patterns.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
transition-metal surfaces, ba/si(100)-2x1 interface, work-function, adsorption, cs, overlayer, affinity, xps
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://A1994NC84200007
http://ac.els-cdn.com/0038109894903379/1-s2.0-0038109894903379-main.pdf?_tid=c659428b2ea302babf0a7852a6c461fd&acdnat=1334233924_b631b62228c19fa2f85a2c63eef03e05
http://ac.els-cdn.com/0038109894903379/1-s2.0-0038109894903379-main.pdf?_tid=c659428b2ea302babf0a7852a6c461fd&acdnat=1334233924_b631b62228c19fa2f85a2c63eef03e05
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Επιστημών και Τεχνολογιών. Τμήμα Βιολογικών Εφαρμογών και Τεχνολογιών