Combined electrical and mechanical properties of titanium nitride thin films as metallization materials
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Patsalas, P.
Charitidis, C.
Logothetidis, S.
Dimitriadis, C. A.
Valassiades, O.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
American Institute of Physics
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Journal of Applied Physics
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
Titanium nitride (TiNx) thin films, similar to 100 nm thick, were deposited on Si(100) substrates by dc reactive magnetron sputtering. The effects of the substrate bias voltage and deposition temperature on their optical, electrical, and mechanical properties have been studied. It was found a strong correlation between the electrical and mechanical properties of the films which are significantly improved with increasing the substrate bias voltage and the deposition temperature. The low resistivity (43 mu Omega cm), combined with the high hardness and elastic modulus values, suggest the TiNx as a promising metallization material in Si technology. (C) 1999 American Institute of Physics. [S0021- 8979(99)05021-5].
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
contacts, silicon
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000083189100086
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών