Post deposition annealing studies of lanthanum aluminate and ceria high-k dielectrics on germanium
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Galata, S. F.
Evangelou, E. K.
Panayiotatos, Y.
Sotiropoulos, A.
Dimoulas, A.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Microelectronics Reliability
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
Germanium MOS transistors with high-k gates are good alternatives for the replacement of SiO2 in order to improve the performance of modern devices. Especially rare-earth oxides on germanium deposited by molecular beam deposition (MBD) have shown improved electrical properties compared to previous used HfO2 with a germanium oxynitride (GeON) interfacial layer. In this work we report on the influence of ex situ post-annealing treatment with forming gas on the electrical characteristics of LaAlO3/Al2O3/nGe and CeO2/nGe MIS capacitors. We have observed an improvement of the electrical characteristics after forming gas anneal (FGA) for LaAlO3/Al2O3/ nGe in contrast to CeO2/nGe which shows no clear trend regarding the influence of FGA. (C) 2007 Elsevier Ltd. All rights reserved.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000248663300013
http://ac.els-cdn.com/S0026271407000297/1-s2.0-S0026271407000297-main.pdf?_tid=c1047680852442fee882b78cc7d88e2c&acdnat=1334219928_a291296b13d735647ddeb63ed743d05e
http://ac.els-cdn.com/S0026271407000297/1-s2.0-S0026271407000297-main.pdf?_tid=c1047680852442fee882b78cc7d88e2c&acdnat=1334219928_a291296b13d735647ddeb63ed743d05e
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Επιστημών και Τεχνολογιών. Τμήμα Βιολογικών Εφαρμογών και Τεχνολογιών