Investigation of voltage dependent relaxation, charge trapping, and stress induced leakage current effects in HfO(2)/Dy(2)O(3) gate stacks grown on Ge (100) substrates
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Rahman, M. S.
Evangelou, E. K.
Androulidakis, I. I.
Dimoulas, A.
Mavrou, G.
Tsipas, P.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Journal of Vacuum Science & Technology B
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
Germanium is a very promising material and has an extra advantage due to its higher mobility than silicon. At the same time, high-kappa gate dielectrics such as HfO(2) are already used for the replacement of SiO(2) in advanced complementary metal-oxide-semiconductor (MOS) devices. A buffer interfacial layer is required to have better interfacial quality between HfO(2) and the semiconductor substrate. In the present work the authors investigate the voltage dependent relaxation effects and charge trapping characteristics of Pt/HfO(2)/Dy(2)O(3)/p-Ge MOS devices. The devices have been subjected to constant voltage stress and show relaxation effects in the whole range of applied stress voltages (-1 to -5 V). Charge trapping is negligible at low stress field while at higher fields (>4 MV/cm) it is significant. Also interesting is the fact that the trapped. charge is negative at low stress fields but changes to positive at higher fields. (C) 2009 American Vacuum Society. [DOI: 10.1116/1.3025912]
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
dielectric-relaxation, mos capacitors
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000265839000086
http://link.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JVTBD9000027000001000439000001
http://link.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JVTBD9000027000001000439000001
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Επιστημών και Τεχνολογιών. Τμήμα Βιολογικών Εφαρμογών και Τεχνολογιών