Influence of implantation dose on the charge storage characteristics of MOS memory devices with low energy Si implanted gate oxides
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Kapetanakis, E.
Normand, P.
Tsoukalas, D.
Beltsios, K.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Elsevier
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Microelectronic Engineering
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The charge storage properties of n-channel MOS transistors with 1 keV Si implanted gate oxides are investigated for 1 and 2 X 10(16) cm(-2) Si densities through gate bias (V-g) and time (t) dependent source-drain current (Is) measurements. Low dose implanted devices exhibit a continuous (trap-like) charge storage process under both static and dynamic conditions in contrast to the high dose implanted case, where injection of a fixed amount of electrons into the Si nanocrystals at low electric fields leads to step-like I-ds-t characteristics and discrete threshold voltage shifts versus V-g at room temperature. These findings can be related to the spatial arrangement and structural state of the implanted Si material after annealing as deduced by a TEM study. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
si, implantation, nanocrystals, memory, single electron tunneling, charge storage, silicon nanocrystals, ion-implantation, thermal sio2, 2-d arrays, states
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000176594700068
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών