Fermi-level pinning and charge neutrality level in germanium
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Applied Physics Letters
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The Schottky barrier height in metal/Ge contacts shows weak dependence on the metal work function indicating strong Fermi-level pinning close to the Bardeen limit. The pinning factor S is about 0.05 and the charge neutrality level (CNL) is only about 0.09 eV above the top of the valence band. Because of this, the Fermi level in Ge lies higher than CNL in most cases of interest so that unpassivated acceptorlike gap states at the interface are easily filled, building up a net negative fixed charge. This could prevent efficient inversion of a p-type Ge surface in a metal-oxide-semiconductor structure. (c) 2006 American Institute of Physics.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
schottky barriers, band offsets, ge, mosfets, gate, source/drain, gap
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000243415200051
http://link.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000089000025252110000001
http://link.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000089000025252110000001
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Επιστημών και Τεχνολογιών. Τμήμα Βιολογικών Εφαρμογών και Τεχνολογιών