Room-temperature single-electron charging phenomena in large-area nanocrystal memory obtained by low-energy ion beam synthesis
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Kapetanakis, E.
Normand, P.
Tsoukalas, D.
Beltsios, K.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
American Institute of Physics
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Applied Physics Letters
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
We investigated the dependence of implantation dose on the charge storage characteristics of large-area n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with 1-keV Si+-implanted gate oxides. Gate bias and time-dependent source-drain current measurements are reported. Devices implanted with 1x10(16) cm(-2) Si dose exhibit a continuous (trap-like) charge storage process under both static and dynamic conditions. In contrast, for 2x10(16) cm(-2) implanted devices, electrons are stored in Si nanocrystals in discrete units at low gate voltages, as revealed by a periodic staircase plateau of the source-drain current with a low gate voltage sweep rate, and the step-like decrease of the time-dependent monitoring of the channel current. These observations of room-temperature single-electron storage effects support the pursuit of large-area devices operating on the basis of Coulomb blockade phenomena. (C) 2002 American Institute of Physics.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
nano-crystal memory, si, implantation, confinement, states
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000174938600058
http://link.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000015002794000001
http://link.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000015002794000001
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών