Study of stress-induced leakage current (SILC) in HfO(2)/Dy(2)O(3) high-kappa gate stacks on germanium
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Rahman, M. S.
Evangelou, E. K.
Androulidakis, I. I.
Dimoulas, A.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Microelectronics Reliability
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
In the present work we study reliability issues of Pt/HfO(2/)Dy(2)O(3)/n-Ge MOS structures under various stress conditions. The electrical characteristics of the micro-capacitors are very good probably due to the presence of a rare earth oxide as interfacial layer. It is shown that the injected charge (Q(inj)) at high constant voltage stress (CVS) conditions induces stress-induced leakage current (SILC) that obeys a power-law. We also observe a correlation between the trapped oxide charge and SILC, which is, at low stress field, charge build-up and no SILC, while at high stress field SILC but few trapped charges. Results show that the present bilayer oxides combination can lead to Ge based MOS devices that show acceptable degradation of electrical properties of MOS structures and improved reliability characteristics. (C) 2008 Published by Elsevier Ltd.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
silicon dioxide films, high-k dielectrics, mos devices, nm oxides, mechanism, breakdown, model, time, capacitors, conduction
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000263208400005
http://ac.els-cdn.com/S002627140800382X/1-s2.0-S002627140800382X-main.pdf?_tid=f8cb8b7238e656e99f50d63f326f9eb6&acdnat=1334220047_7ebade6d5e542d37c8a52625e1f11cf4
http://ac.els-cdn.com/S002627140800382X/1-s2.0-S002627140800382X-main.pdf?_tid=f8cb8b7238e656e99f50d63f326f9eb6&acdnat=1334220047_7ebade6d5e542d37c8a52625e1f11cf4
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Επιστημών και Τεχνολογιών. Τμήμα Βιολογικών Εφαρμογών και Τεχνολογιών