Anomalous charge trapping dynamics in cerium oxide grown on germanium substrate
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Rahman, M. S.
Evangelou, E. K.
Dimoulas, A.
Mavrou, G.
Galata, S.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Journal of Applied Physics
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
We have observed charge trapping phenomena in thin films of cerium oxide on n-type germanium (Ge) substrate under constant voltage stress (CVS) condition. The measured shift of the flatband voltage of a high frequency C-V curve immediately after each CVS cycle, was utilized as a method to study the capture dynamics of both preexisting and stress induced oxide defects. At low stress electric field, it is the creation of new interface traps that dominates the trapping characteristics of the corresponding metal-oxide semiconductor capacitors. At higher stress electric field, negative charges are trapped on preexisting traps uniformly located in the bulk of the oxide. From data analysis, the capture cross section of the traps is estimated to be around 1 X 10(-1)9 cm(2) which indicates neutral traps possibly related to H(+) species and/or oxygen vacancies. (C) 2008 American Institute of Physics.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
gate dielectric stacks, semiconductor devices, hfo2, generation, capacitors, interface, breakdown, layers
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000254536900130
http://link.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000103000006064514000001
http://link.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000103000006064514000001
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Επιστημών και Τεχνολογιών. Τμήμα Βιολογικών Εφαρμογών και Τεχνολογιών