Detailed Models of the Movpe Process
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Jensen, K. F.
Fotiadis, D. I.
Mountziaris, T. J.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Elsevier
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Journal of Crystal Growth
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
We present physicochemical models of the MOVPE process that describe two- and three-dimensional transport phenomena as well as gas-phase and surface reactions underlying the growth of compound semiconductors. Emphasis is placed on understanding the development of fully three-dimensional flows and on the interaction between transport and chemical reaction processes. The first fully three-dimensional finite element computations of non-axisymmetric flows in vertical MOVPE reactors are presented along with a discussion of conditions leading to loss of symmetry in axisymmetric reactor configurations. For horizontal reactors, three-dimensional simulations are used to predict published interference holography observations of cold finger phenomena and to investigate the disappearance of symmetry about the reactor midplane. A detailed kinetic model for epitaxial growth of GaAs from trimethylgallium and arsine is combined with fluid flow and heat transfer models for a typical horizontal MOVPE reactor. The model simulates GaAs growth rates and carbon incorporation trends with temperature, pressure and V/III ratio. The computations show that the wall temperature plays a critical role in controlling uniformity.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
chemical-vapor-deposition, 001 gaas, reactors, flow, decomposition, growth, cvd, temperature
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://A1991EY07200002
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών