Silicon-nanocrystal-based multiple-tunnel junction devices obtained by a combination of V-groove and ion beam synthesis techniques
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Normand, P.
Kapetanakis, E.
Tsoukalas, D.
Tserepi, A.
Tsoi, E.
Beltsios, K.
Aidinis, K.
Zhang, S.
van den Berg, J.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Elsevier
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Microelectronic Engineering
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
Multiple-tunnel junction devices with a source-drain electrode separation ranging from 50 to 200 nm and non-linear source-drain current-voltage characteristics, are constructed by a combination of optical lithography, anisotropic wet and dry etching and low-energy Si ion implantation. Electrical characteristics are found to depend strongly on the Si implantation dose and source-drain separation. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
arrays
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000171061800137
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών