The Use of Ce(fod)4 as a Precursor for the Growth of Ceria Films by Metal - Organic Chemical Vapour Deposition
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
J. McAleese,
J. C. Plakatouras,
B. C. H. Steele
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Elsevier
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Thin Solid Films
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
We report the growth of thin films of cerium oxide using the metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) technique. The homoleptic complex, Ce(fod)4, where fod-H is 1,1,1,2,2,3,3-heptafluoro-7,7-dimethyloctane-4,6-dione, was used as a precursor. Silicon wafers with a (100) orientation were used as substrates. This work can be considered a feasibility study of this precursor as a potential source of ceria for the eventual production of solid solutions with a stoichiometry of Ce0.9Gd0.1O1.95. These ceramic films are intended for use as electrolytes in solid oxide fuel cells (SOFCs). In this paper, the difficulties associated with CVD growth of oxide films using solid phase precursors such as Ce(fod)4 which contain fluorinated ligands are discussed as well as the methods used to eliminate such problems. The variation of important CVD parameters such as moist oxygen flow rate are discussed in terms of their effect on the growth rate and the elemental composition of the deposited films. Analysis was carried out using techniques such as scanning electron microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray fluorescence.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
Ceramics, Chemical vapour deposition, Oxides, Solid electrolyte interface
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0040609095081933
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Χημείας