Growth and characterization of Type I (Straddling gap) and Type II (staggered gap) heterojunctions alignment in thin films for potential photovoltaic applications

dc.contributor.authorPagonis, Ioannisen
dc.contributor.authorΠαγώνης, Ιωάννηςel
dc.date.accessioned2024-07-23T10:48:55Z
dc.date.available2024-07-23T10:48:55Z
dc.identifier.urihttps://olympias.lib.uoi.gr/jspui/handle/123456789/38237
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.26268/heal.uoi.17943
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/*
dc.subjectComposite thin filmsen
dc.subjectMagnetron sputteringen
dc.subjectOxygen plasma treatmenten
dc.subjectTin oxidesen
dc.subjectZirconium dioxideen
dc.subjectElectric propertiesen
dc.subjectPhotoresponsivityen
dc.subjectΣύνθετα λεπτά υμένιαel
dc.subjectΜαγνητικά υποβοηθούμενη ιοντοβολήel
dc.subjectΔιεργασία πλάσματος οξυγόνουel
dc.subjectΟξείδια κασσιτέρουel
dc.subjectΔιοξείδιο ζιρκονίουel
dc.subjectΗλεκτρικές ιδιότητεςel
dc.subjectΦωτοαπόκρισηel
dc.titleGrowth and characterization of Type I (Straddling gap) and Type II (staggered gap) heterojunctions alignment in thin films for potential photovoltaic applicationsen
dc.titleΑνάπτυξη και χαρακτηρισμός ετεροεπαφών ημιαγωγών λεπτών υμενίων με ενεργειακά χάσματα Τύπου Ι και Τύπου ΙΙ για δυνητικές εφαρμογές φωτοβολταϊκών διατάξεωνel
dc.typemasterThesisen
heal.abstractWe present results referring to the performances of two different thin films, one composed by two semiconductors exhibiting band alignment of Type I (straddling gap) and another on of Type II (staggered gap). The films were grown by means of a two-step process consisting in depositing first a metallic layer on silicon n-type semiconductor and subsequently oxidize it in oxygen plasma. For the type I band gap system we grow a Zr-Ti-Cu alloy, while for, the type II, we deposited metallic tin (Sn) considering that upon oxidation SnxOy, SnO SnO2 will be produced that are n,p and n type semiconductors, respectively. The grown films were analyzed by means of X-Ray Diffraction (XRD) and X-Ray Photoelectron spectroscopy (XPS) for the structural and compositional characterizations, while we used I-V four probe and photo-current measurements for the assessment of their photo-electrical performances. It came out that the systems containing semiconductors having electronic Type II band alignment perform significantly better than those of type I, suggesting that these systems could be promising for photo-electric application.en
heal.abstractΠαρουσιάζουμε αποτελέσματα μελέτης αναφορικά με τις επιδόσεις δύο διαφορετικών συστημάτων λεπτών υμενίων, εκ των οποίων το ένα αποτελείται από δύο ημιαγώγιμα υλικά στα οποία η ευθυγράμμιση των ενεργειακών ζωνών τους σχηματίζουν ετεροεπαφές Τύπου Ι (straddling gap) και στο άλλο Τύπου ΙΙ (staggered gap). Τα λεπτά υμένια αναπτύχθηκαν με μια διαδικασία δύο βημάτων εκ των οποίων το πρώτο βήμα είναι η εναπόθεση με την μέθοδο της μαγνητικά υποβοηθούμενης ιοντοβολής (magnetron sputtering) ενός μεταλλικού υμενίου σε υπόστρωμα n-τύπου Si(001) και ακολούθως οξείδωση με χρήση πλάσματος οξυγόνου. Για το σύστημα της ετεροεπαφής Τύπου Ι (straddling gap) αναπτύξαμε κράμα Zr-Ti-Cu που ακολούθως οξειδώθηκε, ενώ για την ετεροεπαφή Τύπου ΙΙ (staggered gap) εναποθέσαμε μεταλλικό Sn ο οποίος κατόπιν οξείδωσης σε πλάσμα οξυγόνου παρήγαγε SnxOy , SnO και SnO2 τα οποία είναι n,p και n τύπου ημιαγωγοί αντιστοίχως. Τα αναπτυχθέντα λεπτά υμένια αναλύθηκαν ως προς την κρυσταλλική δομή με σκέδαση ακτινών-Χ (XRD) και ως προς τον στοιχειακό και χημικό χαρακτηρισμό με την μέθοδο της φασματοσκοπίας φωτοηλεκτρονίων ακτινών-Χ (XPS). Για την πρώτη εκτίμηση των φωτο-ηλεκτρικών επιδόσεων των συστημάτων λεπτών υμενίων πραγματοποιήθηκε I-V ηλεκτρικός χαρακτηρισμός με μέτρηση 4-σημείων και με μετρήσεις φωτορεύματος σε μέτρηση 2-σημείων. Αποδείχθηκε ότι τα συστήματα τα οποία εμπεριέχουν ημιαγωγούς με ετεροεπαφές Τύπου ΙΙ αποδίδουν πολύ καλύτερα σε σχέση με εκείνα που έχουν Τύπου Ι, υποδηλώνοντας ότι αυτά τα υλικά είναι πολλά υποσχόμενα για μελλοντικές φωτοηλεκτρικές χρήσεις.el
heal.academicPublisherΠανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικήςel
heal.academicPublisherIDuoiel
heal.accessfreeel
heal.advisorNameΕυαγγελάκης, Γεώργιοςel
heal.classificationSolid state physicsen
heal.classificationΦυσική στερεάς κατάστασηςel
heal.committeeMemberNameΔεληγιαννάκης, Ιωάννηςel
heal.committeeMemberNameΕυαγγέλου, Ευάγγελοςel
heal.committeeMemberNameΕυαγγελάκης, Γεώργιος
heal.dateAvailable2024-07-23T10:49:55Z
heal.fullTextAvailabilitytrue
heal.fullTextAvailabilitytrue
heal.generalDescriptionΕπιπρόσθετα έχει σταλεί και επιστημονικό άρθρο στο περιοδικό Thin Solid Films της Elsevier, βασισμένο στα πειραματικά αποτελέσματα αυτής της δουλειάς.el
heal.languageenel
heal.numberOfPages109el
heal.publicationDate2024-07
heal.recordProviderΠανεπιστημιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημώνel
heal.recordProviderUniversity of Ioannina. Department of Physicsen
heal.typemasterThesisel
heal.type.elΜεταπτυχιακή εργασίαel
heal.type.enMaster thesisen

Αρχεία

Πρωτότυπος φάκελος/πακέτο

Προβολή: 1 - 1 of 1
Φόρτωση...
Μικρογραφία εικόνας
Ονομα:
Μ.Ε. Παγώνης Ιωάννης (2024).pdf
Μέγεθος:
5 MB
Μορφότυπο:
Adobe Portable Document Format
Περιγραφή:

Φάκελος/Πακέτο αδειών

Προβολή: 1 - 1 of 1
Φόρτωση...
Μικρογραφία εικόνας
Ονομα:
license.txt
Μέγεθος:
3.22 KB
Μορφότυπο:
Item-specific license agreed upon to submission
Περιγραφή: