Complex Flow Phenomena in Vertical Mocvd Reactors - Effects on Deposition Uniformity and Interface Abruptness
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Fotiadis, D. I.
Kremer, A. M.
Mckenna, D. R.
Jensen, K. F.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Elsevier
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Journal of Crystal Growth
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The structure of axisymmetric flow patterns in vertical MOCVD reactors is studied with emphasis on their effect on deposition rate uniformity and interface abruptness. Flow visualizations by illuminating TiO2 seed particles in a sheet of laser light are used to illustrate forced and mixed convection flows. Excellent agreement between experimental observations and model predictions is demonstrated. Simulations show that the film thickness uniformity is affected by susceptor edge, reactor wall and buoyancy effects. Furthermore, nonlinear interactions between transport processes lead to multiple steady flows for typical operating conditions. The deposition of GaAs and AlAs from Ga(CH3)3, Al(CH3)3 and AsH3 are used as case studies. Simulations of solid and gas phase concentration transients in the growth of AlAs/GaAs interfaces illustrate the effects flow structures have on interface abruptness.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://A1987L041200022
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών