Charge storage and interface states effects in Si-nanocrystal memory obtained using low-energy Si+ implantation and annealing
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Kapetanakis, E.
Normand, P.
Tsoukalas, D.
Beltsios, K.
Stoemenos, J.
Zhang, S.
van den Berg, J.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
American Institute of Physics
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Applied Physics Letters
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
Thin SiO2 oxides implanted by very-low-energy (1 keV) Si ions and subsequently annealed are explored with regards to their potential as active elements of memory devices. Charge storage effects as a function of Si fluence are investigated through capacitance and channel current measurements. Capacitance-voltage and source-drain current versus gate voltage characteristics of devices implanted with a dose of 1x10(16) cm(-2) or lower exhibit clear hysteresis characteristics at low electric field. The observed fluence dependence of the device electrical properties is interpreted in terms of the implanted oxide structure. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0003-6951(00)05447-4].
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
silicon nanocrystals
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000165395900045
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών