Current instabilities in rare-earth oxides-HfO(2) gate stacks grown on germanium based metal-oxide-semiconductor devices due to Maxwell-Wagner instabilities and dielectrics relaxation
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Rahman, M. S.
Evangelou, E. K.
Dimoulas, A.
Mavrou, G.
Galata, S.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Journal of Vacuum Science & Technology B
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The authors report the current instabilities in rare-earth oxides-HfO(2) gate stacks grown on Ge (001) based metal-oxide-semiconductor devices under constant voltage stress (CVS). The devices have been subjected to CVS and show relaxation effect and charge accumulation/trapping at the interface of the high-k bilayers known as Maxwell-Wagner (MW) polarization; both cause current instabilities (i.e., current decay). The experimental data can only be explained when co-occurrent effects of MW instability and dielectric relaxation are taken into consideration. On the contrary, any single effect alone is unable to fit and/or explain the results completely. It is interesting that these effects show field dependent behavior; that is, at low CVS, the authors observe the current instabilities (follow J similar to t(-n) law), whereas at higher field, the charge trapping and/or the creation of new defects in the oxides, which eventually lead to breakdown, are significant. These results are also confirmed by capacitance-voltage (C-V(g)) measurements in respective conditions. (c) 2011 American Vacuum Society. [DOI: 10.1116/1.3532946]
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
induced leakage current, thin-films, transport, mosfets
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000286679400074
http://link.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JVTBD900002900000101AB06000001
http://link.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JVTBD900002900000101AB06000001
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Επιστημών και Τεχνολογιών. Τμήμα Βιολογικών Εφαρμογών και Τεχνολογιών