Potential modulation by strain in lateral surface superlattices
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Long, A. R.
Skuras, E.
Vallis, S.
Cusco, R.
Larkin, I. A.
Davies, J. H.
Holland, M. C.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
American Physical Society
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Physical Review B
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
We have measured the magnitude of the potential modulation below gated one-dimensional lateral surface superlattices fabricated with periods between 60 and 600 nm on a range of GaAs/AlGaAs heterostructures. The magnitude of the modulation was obtained by studying the amplitude of the commensurability oscillations in magnetoresistance, and confirmed by analysis of the low field positive magnetoresistance step. Without gate bias applied, the modulation is generated by strain in Che gates, coupled piezoelectrically to the two-dimensional electron gas. Both magnitude and harmonic content of the potential are in reasonable agreement with a recent theoretical calculation of this coupling, over the full range of periods and for all the structures studied. Away from zero gate bias electrostatic modulation adds to the piezoelectric component. This differs according to the sign of the applied bias. In depletion it increases roughly linearly with-bias and is in good agreement with theoretical estimates, whereas in positive bias it tends to saturate as strong screening in the donor layers develops.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
2-dimensional electron-gas, magnetoresistance oscillations, weiss oscillations, transport, algaas
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000081551500086
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών