Αλγόριθμοι ανίχνευσης ελαττωμάτων θερμικής αλληλεπίδρασης σε μνήμες PCM
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Σπυρίδωνος, Σπυρίδων
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Πολυτεχνική Σχολή. Τμήμα Μηχανικών Η/Υ & Πληροφορικής
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
Η Μνήμη Αλλαγής Φάσης (Phase Change Memory) είναι ένας τύπος μη πτητικής
μνήμης που είναι πολύ πιθανό να αντικαταστήσει την σε ευρεία χρήση μνήμη flash.
Η τρέχουσα έρευνα σχετικά με τη μνήμη αλλαγής φάσης στοχεύει στην ενσωμάτωσή
της στην κατασκευαστική διαδικασία της τεχνολογίας CMOS που χρησιμοποιείται
σήμερα καθώς και στην αύξηση της αξιοπιστίας αυτών των μνημών. Ένα στοιχείο
μνήμης αλλαγής φάσης, μπορεί να υπάρχει σε δύο σταθερές καταστάσεις, είτε με
υψηλή, είτε με χαμηλή τιμή αντίστασης. Η κατάσταση υψηλής αντίστασης είναι
γνωστή ως άμορφη φάση (ή κατάσταση RESET) ενώ η κατάσταση χαμηλής
αντίστασης είναι γνωστή ως κρυσταλλική φάση (ή κατάσταση SET). Kατά τη
διάρκεια της μετάβασης σε κατάσταση RESET εφαρμόζεται ένας ισχυρός παλμός
με αποτέλεσμα να παράγεται σημαντική ποσότητα θερμότητας. Διάφορες μελέτες
εντόπισαν πως η διάχυση αυτής της θερμότητας είναι ικανή να προκαλέσει
αλλοίωση στα αποθηκευμένα δεδομένα των γειτονικών κελιών μέσο του
φαινομένου της θερμικής αλληλεπίδρασης (thermal crosstalk). Σε αυτήν την
εργασία παρουσιάζουμε αλγορίθμους βασισμένους στο μοντέλο σφαλμάτων
ευαισθησίας στο μοτίβο γειτονιάς (Neighborhood Pattern Sensitive Fault – NPSF),
με σκοπό τη δοκιμή (testing) για την ανίχνευση των κελιών του επηρεάζονται απόviii
το φαινόμενο της θερμικής αλληλεπίδρασης και την παροχή υψηλής αξιοπιστίας
μνημών βασισμένες στις μνήμες αλλαγής φάσης.
Phase Change Memory is a type of non-volatile memory that is very likely to replace the widely used flash memory. Current research on phase shift memory targets its integration into the manufacturing process of the CMOS technology that is currently in use as well as its reliability. The chalcogenide material that is used in a PCM cell can exist in two steady states with either a high or a low resistance value respectively. The high resistance state is known as the amorphous phase (or RESET state) while the low resistance state is known as the crystalline phase (or SET state). During the transition to the RESET phase, a strong pulse is applied resulting in the generation a significant amount of heat. Various studies have found that the diffusion of this heat is capable of causing damage to the stored data of neighboring cells through the phenomenon of thermal interaction (thermal crosstalk). In this work we present new test algorithms that are based on the Neighborhood Pattern Sensitive Fault (NPSF) model, for the detection of cells affected by the phenomenon of thermal interaction and consequently to provide phase change memories of high reliability.
Phase Change Memory is a type of non-volatile memory that is very likely to replace the widely used flash memory. Current research on phase shift memory targets its integration into the manufacturing process of the CMOS technology that is currently in use as well as its reliability. The chalcogenide material that is used in a PCM cell can exist in two steady states with either a high or a low resistance value respectively. The high resistance state is known as the amorphous phase (or RESET state) while the low resistance state is known as the crystalline phase (or SET state). During the transition to the RESET phase, a strong pulse is applied resulting in the generation a significant amount of heat. Various studies have found that the diffusion of this heat is capable of causing damage to the stored data of neighboring cells through the phenomenon of thermal interaction (thermal crosstalk). In this work we present new test algorithms that are based on the Neighborhood Pattern Sensitive Fault (NPSF) model, for the detection of cells affected by the phenomenon of thermal interaction and consequently to provide phase change memories of high reliability.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
Μνήμη αλλαγής φάσης, Θερμική αλληλεπίδραση, Phase change memory, Thermal crosstalk, Npsf
Θεματική κατηγορία
Θερμική αλληλεπίδραση
Παραπομπή
Σύνδεσμος
Γλώσσα
el
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Πολυτεχνική Σχολή. Τμήμα Μηχανικών Η/Υ & Πληροφορικής
Όνομα επιβλέποντος
Τσιατούχας, Γεώργιος
Εξεταστική επιτροπή
Τσιατούχας, Γεώργιος
Ευθυμίου, Αριστείδης
Τενέντες, Βασίλειος
Ευθυμίου, Αριστείδης
Τενέντες, Βασίλειος
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Πολυτεχνική Σχολή. Τμήμα Μηχανικών Η/Υ & Πληροφορικής
Πίνακας περιεχομένων
Χορηγός
Βιβλιογραφική αναφορά
Βιβλιογραφία: σ. 65-70
Ονόματα συντελεστών
Αριθμός σελίδων
71 σ.
Λεπτομέρειες μαθήματος
item.page.endorsement
item.page.review
item.page.supplemented
item.page.referenced
Άδεια Creative Commons
Άδεια χρήσης της εγγραφής: Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States