Adsorption of elemental S on Si(100)-2x1 surfaces
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Papageorgopoulos, A.
Kamaratos, M.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Surface Science
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
We have studied the adsorption of elemental S on Si(100)-2 X 1 surfaces by LEED, AES, TDS, and WF measurements in UHV. The adsorption of S at room temperature causes the surface restoration of the reconstructed Si(100)-2 X 1 substrate to its original bulk-terminated surface, Si(100)-1 X 1. The S adsorbate follows the substrate structures, i.e. it forms initially a (2 X 1) up to 0.5 ML and subsequently a (1 X 1). Above 1 ML, sulfur is imbedded into the Si bulk near the surface. The sticking coefficient of S on Si(100) surface is constant, S = 1, up to 2 ML. Deposition of S at RT up to 1 ML increases the WF of the surface by about 0.30 +/- 0.05 eV. Above 1 ML, as the S is diffused into the Si bulk, the WF decreases, The TDS measurements show that S is desorbed as SiS molecule with a single TD peak near 585 degrees C. This may indicate that the Si-S bond energy is greater than that of Si-Si which may be the dominant cause of the substrate restoration.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
adsorption kinetics, atom-solid interactions, scattering, diffraction, auger electron spectroscopy, chemisorption, low energy electron diffraction (leed), low index single crystal surfaces, semiconducting surfaces, silicon, sulphides, surface electronic phenomena, thermal desorption spectroscopy, work function measurements, scanning-tunneling-microscopy, electronic-structure, si(001) surface, sulfur, ge(111)
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://A1996UV25400069
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Επιστημών και Τεχνολογιών. Τμήμα Βιολογικών Εφαρμογών και Τεχνολογιών