The Behavior of K on the Basal-Plane of Mos2
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Papageorgopoulos, C. A.
Kamaratos, M.
Kennou, S.
Vlachos, D.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Surface Science
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The adsorption of K on MoS2(0001) has been investigated by LEED, AES, TDS and WF measurements. The results suggest that the initial sticking coefficient of K on MoS2 is less than 1 (approximately 0.7). From the known flux and sticking coefficient, the K coverage could be determined at any time. At low coverage, K forms strongly ionized isolated adatoms as on metals and other semiconductors. However, with increasing coverage, K atoms form 2D clusters which with more K adsorption coalesce and grow to 3D clusters. The growth of K to 3D clusters contrasts the uniform deposition exhibited on metals and other semiconductors.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
cs, adsorption, w(110), cesium, surfaces, oxygen, o2
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://A1991FY12600209
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Επιστημών και Τεχνολογιών. Τμήμα Βιολογικών Εφαρμογών και Τεχνολογιών