X-ray and neutron reflectivity studies of self-assembled InAs quantum dots stacks on GaAs (100)
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Anagnostopoulos, D. F.
Skuras, E.
Stanley, C.
Borchert, G. L.
Valicu, R.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Elsevier
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Journal of Alloys and Compounds
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
X-ray and neutron reflectometry are used for structural characterization of self-assembled InAs quantum dot stacks on GaAs (1 0 0), grown by molecular beam epitaxy. The macroscopic density profile of uncapped InAs layer is extracted and shows a three-dimensional pyramidal structure of maximum height of 5 nm. The ultra thin InAs buried layers are well approximated as a two-dimensional structure, indicating amalgamation between InAs and GaAs. The interface roughness of the capping layers is found smaller than 0.5 nm, showing the high quality of the epitaxial surfaces. The thicknesses of the capping GaAs layers are extracted in atomic scale level and are found in fine agreement with the nominal values. (C) 2008 Published by Elsevier B.V.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
quantum dots, x-ray reflectivity, neutron reflectivity, atomic scale structure, solar-cells
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000270619600099
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών