The kinetics of sputtered deposited carbon on silicon: a phenomenological model
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Elsevier
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Diamond and Related Materials
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
A phenomenological model based on the rate equations for the carbon sputter deposition on Si surface is proposed. The processes of carbon adsorption, formation of SiC and transition from sp(2) to sp(3) sites induced by low energy ion bombardment are included. The calibration of the model was performed with the experimental results. The amorphous carbon films were deposited by magnetron sputtering of graphite with Ar+ ions. The energy of ions bombarding the growing film was varied by applying a bias voltage on the substrate. It is shown that the non-monotonous kinetics of film growth is determined by the variations of surface composition at different stages of growth. (C) 1999 Elsevier Science S.A. All rights reserved.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
amorphous carbon, deposition, modeling, ellipsometry, a-c-h, thin-films, optical-properties, diamond, stress
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000080437000073
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών