Structural and electrical properties of HfO(2)/Dy(2)O(3) gate stacks on Ge substrates
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Evangelou, E. K.
Rahman, M. S.
Androulidakis, I. I.
Dimoulas, A.
Mavrou, G.
Giannakopoulos, K. P.
Anagnostopoulos, D. F.
Valicu, R.
Borchert, G. L.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Thin Solid Films
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
In the present work we report on the structural and electrical properties of metal oxide semiconductor (MOS) devices with HfO(2)/Dy(2)O(3) gate stack dielectrics, deposited by molecular beam deposition on p-type germanium (Ge) substrates. Structural characterization by means of high-resolution Transmission Electron Microscopy (TEM) and X-ray diffraction measurements demonstrate the nanocrystalline nature of the films. Moreover, the interpretation of the X-ray reflectivity measurements reveals the spontaneous growth of an ultrathin germanium oxide interfacial layer which was also confirmed by TEM. Subsequent electrical characterization measurements on Pt/HfO(2)/Dy(2)O(3)/p-Ge MOS diodes show that a combination of a thin Dy(2)O(3) buffer layer with a thicker HfO(2) on top can give very good results, such as equivalent oxide thickness values as low as 1.9 nm, low density of interfacial defects (2-5 x 10(12) eV(-1) cm(-2)) and leakage currents with typical current density values around 15 nA/cm(2) at V(g)=V(FB)-1V. (C) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
germanium, dy(2)o(3), hfo(2), rare-earth oxides, transmission electron microscopy, x-ray reflectivity, electrical properties and measurements, germanium mos dielectrics, hfo2 layers, interface, oxide, capacitors, mosfets, devices, passivation, deposition, surfaces
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000278064600068
http://ac.els-cdn.com/S0040609009018446/1-s2.0-S0040609009018446-main.pdf?_tid=14effd51ea3786a451c9d0943ff4e602&acdnat=1334220025_508eb8dc63afd1ec2df42bb61b752d54
http://ac.els-cdn.com/S0040609009018446/1-s2.0-S0040609009018446-main.pdf?_tid=14effd51ea3786a451c9d0943ff4e602&acdnat=1334220025_508eb8dc63afd1ec2df42bb61b752d54
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Επιστημών και Τεχνολογιών. Τμήμα Βιολογικών Εφαρμογών και Τεχνολογιών