MOS memory structures by very-low-energy-implanted Si in thin SiO2
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Elsevier
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The electrical characteristics of thin silicon dioxide layers with embedded Si nanocrystals obtained by low-energy ion beam implantation and subsequent annealing have been investigated through capacitance and current-voltage measurements of MOS capacitors. The effects of the implantation energy (range: 0.65-2 keV), annealing temperature (950-1050 degreesC) and injection oxide characteristics on charge injection and storage are reported. It is shown that the implantation energy allows for a fine control of the memory window characteristics, and various device options are possible including memory operation with charge injection at low gate voltages. (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
si, nanocrystals, ion implantation, memory, single-electron
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000184394900004
http://ac.els-cdn.com/S0921510702006888/1-s2.0-S0921510702006888-main.pdf?_tid=8765ad619c998cc718b6284c13cafac6&acdnat=1339662566_ec56a0046ca11f5d462133bee0c72dc3
http://ac.els-cdn.com/S0921510702006888/1-s2.0-S0921510702006888-main.pdf?_tid=8765ad619c998cc718b6284c13cafac6&acdnat=1339662566_ec56a0046ca11f5d462133bee0c72dc3
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών