Nitrogen induced states at the CNx/Si interface

Φόρτωση...
Μικρογραφία εικόνας

Ημερομηνία

Συγγραφείς

Evangelou, E.
Konofaos, N.
Gioti, M.
Logothetidis, S.

Τίτλος Εφημερίδας

Περιοδικό ISSN

Τίτλος τόμου

Εκδότης

Περίληψη

Τύπος

Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο

Είδος περιοδικού

peer reviewed

Είδος εκπαιδευτικού υλικού

Όνομα συνεδρίου

Όνομα περιοδικού

Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology

Όνομα βιβλίου

Σειρά βιβλίου

Έκδοση βιβλίου

Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος

Περιγραφή

The deposition of carbon nitride (CNx) films onto n-type silicon wafers by rf magnetron sputtering at room temperature produces insulating films suitable for electronic applications. The traps at the CNx/Si interface may hamper the creation of electronic devices especially in VLSI applications. While amorphous carbon films have been studied for that purpose, the introduction of nitrogen inside the growth chamber adds an extra parameter in the process. CNx films were grown with the N-2 concentration ranging between 1 and 25%. The effect of various N-2 concentrations on the interface states is investigated in the present work. The interface states were characterized by admittance spectroscopy on metal-insulator-semiconductor (MIS) devices created by the deposition of A1 contacts. The density of interface states (D-it) and the corresponding time constants were obtained by the conductance technique. The D-it was found to extend between 5.5 x 10(12) and 2.0 x 10(13) eV(-1) cm(-2) depending on the N-2 concentration. Annealing at 350 degrees C reduced these values. Typical values for the time constants were around 10(-4) s indicating that the traps are located close to the silicon midgap. (C) 2000 Elsevier Science S.A. All rights reserved.

Περιγραφή

Λέξεις-κλειδιά

carbon nitrides, interface states, mis devices, admittance spectroscopy, rf magnetron, sputtering thin films, amorphous-carbon, thin-films, silicon

Θεματική κατηγορία

Παραπομπή

Σύνδεσμος

<Go to ISI>://000085529700060

Γλώσσα

en

Εκδίδον τμήμα/τομέας

Όνομα επιβλέποντος

Εξεταστική επιτροπή

Γενική Περιγραφή / Σχόλια

Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος

Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Επιστημών και Τεχνολογιών. Τμήμα Βιολογικών Εφαρμογών και Τεχνολογιών

Πίνακας περιεχομένων

Χορηγός

Βιβλιογραφική αναφορά

Ονόματα συντελεστών

Αριθμός σελίδων

Λεπτομέρειες μαθήματος

item.page.endorsement

item.page.review

item.page.supplemented

item.page.referenced