SILC decay in La(2)O(3) gate dielectrics grown on Ge substrates subjected to constant voltage stress
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Rahman, M. S.
Evangelou, E. K.
Androulidakis, I. I.
Dimoulas, A.
Mavrou, G.
Galata, S.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Solid-State Electronics
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The effect of constant voltage stress (CVS) on Pt/La(2)O(3)/n-Ge MOS devices biased at accumulation is investigated and reported. It is found that the stress induced leakage current (SILC) initially increases due to electron charge trapping on pre-existing bulk oxide defects. After 10 s approximately, a clear decay of SILC commences which follows a t(-n) power law, with n lying between 0.56 and 0.75. This decay of SILC is not changed or reversed when the stressing voltage stops for short time intervals. The effect is attributed to the creation of new positively charged defects in the oxide because of the applied stressing voltage, while other mechanism such as dielectric relaxation proposed in the past is proved insufficient to explain the experimental data. Also high frequency capacitance vs. gate voltage (C-V(g)) curves measured under different CVS conditions divulge the creation of defects and charge trapping characteristics of La(2)O(3) preciously. At low CVS exemplify the generation positively charged defects, however at higher CVS charge trapping obeys a model that was previously proposed and is a continuous distribution of traps. (C) 2010 Elsevier Ltd. All rights reserved.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
charge trapping, defects generation, silc, rare-earth oxides, la(2)o(3), ge substrates, dielectric relaxation, cvs, induced leakage current, electron injection, trap generation, oxide-films, time-decay, breakdown, stacks, hfo2, relaxation, interface
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000280322300025
http://ac.els-cdn.com/S0038110110001401/1-s2.0-S0038110110001401-main.pdf?_tid=8d8c326825565fdf4027f5c19c7807ce&acdnat=1334220064_8bf892907990f64279f3f34334850942
http://ac.els-cdn.com/S0038110110001401/1-s2.0-S0038110110001401-main.pdf?_tid=8d8c326825565fdf4027f5c19c7807ce&acdnat=1334220064_8bf892907990f64279f3f34334850942
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Επιστημών και Τεχνολογιών. Τμήμα Βιολογικών Εφαρμογών και Τεχνολογιών