In situ and real-time ellipsometry monitoring of submicron titanium nitride/titanium silicide electronic devices
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Patsalas, P.
Charitidis, C.
Logothetidis, S.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Elsevier
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Applied Surface Science
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
We fabricated Al/TiNx/(Ti/Si) x 15/Si(100) submicron devices by magnetron sputtering. Spectroscopic Ellipsometry (SE) was used for in situ characterization of TIN,, Ti and Si layers. The intermixing of Ti/Si layers and the phase transformations of TiSi during annealing were monitored by Kinetic Ellipsometry (KE). The metallic behavior of the TiNx layers was studied by analyzing their dielectric function in the IR region, measured by Fourier Transform InfraRed Spectroscopic Ellipsometry (FTIRSE), and by the unscreened plasma energy ((h) over bar omega(pu)) calculated by SE data analysis. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
titanium nitride, titanium silicide, optical properties, spectroscopic ellipsometry, microstructure, films, contacts, nitride
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000086060500042
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών