A high-density DRAM cell with built-in gain stage
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Kamoulakos, G.
Tsiatouhas, Y.
Chrisanthopoulos, A.
Arapoyanni, A.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Ieee Transactions on Electron Devices
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
A high-density DRAM cell is proposed with a built-in vertical gain device topology. Due to the vertical built-in gain device, this cell exhibits increased reading speed, elongated refresh period, low-power oriented operation, and minor layout area penalty.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
mos devices, random access memories, semiconductor device modeling, semiconductor devices, semiconductor memories
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών και Πληροφορικής