Fermi energy pinning at the surface of high mobility In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As modulation doped field effect transistor structures
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Skuras, E.
Stanley, C. R.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
American Institute of Physics
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Applied Physics Letters
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
Fermi level pinning at the surface of the undoped In0.52Al0.48As Schottky layer in high mobility In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As modulation doped field effect transistor structures has been studied. The electron subband densities for samples prepared with different Schottky layer thicknesses have been deduced from fast Fourier transform analyses of 1.5 K Shubnikov-de Haas data. These results have been compared with densities calculated self-consistently using the free surface potential Phi(S) as the only fitting parameter. Good agreement between theory and experiment is achieved for a surface Fermi energy pinned 0.65 +/- 0.05 eV below the In0.52Al0.48As Gamma-conduction band minimum. (c) 2007 American Institute of Physics.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
molecular-beam epitaxy, electronic-properties, photoreflectance, inalas, in0.52al0.48as, heterojunction, ingaas, layers
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000245317100109
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών