Effect of annealing environment on the memory properties of thin oxides with embedded Si nanocrystals obtained by low-energy ion-beam synthesis
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Normand, P.
Kapetanakis, E.
Dimitrakis, P.
Tsoukalas, D.
Beltsios, K.
Cherkashin, N.
Bonafos, C.
Benassayag, G.
Coffin, H.
Claverie, A.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
American Institute of Physics
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Applied Physics Letters
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The effect of annealing in diluted oxygen versus inert environment on the structural and electrical characteristics of thin silicon dioxide layers with embedded Si nanocrystals fabricated by very low-energy silicon implantation (1 keV) is reported. Annealing in diluted oxygen increases the thickness of the control oxide, improves the integrity of the oxide and narrows the size distribution of the nanocrystals without affecting significantly their mean size (similar to2 nm). Strong charge storage effects at low gate voltages and enhanced charge retention times are observed through electrical measurements of metal-oxide-semiconductor capacitors. These results indicate that a combination of low-energy silicon implants and annealing in diluted oxygen allows for the fabrication of improved low-voltage nonvolatile memory devices. (C) 2003 American Institute of Physics.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
implantation, states
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000183877800057
http://link.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000001000168000001
http://link.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000001000168000001
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών