Plasma energy and work function of conducting transition metal nitrides for electronic applications
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Matenoglou, G. M.
Koutsokeras, L. E.
Patsalas, P.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
American Institute of Physics
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Applied Physics Letters
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The combination of electrical conductivity, chemical and metallurgical stability, refractory character, having lattice constants that are close to those of III-nitrides makes transition metal nitrides promising candidates for electronics and device applications. We study the structure, stability, and the plasma energy of stoichiometric, transition metal nitrides of similar crystal quality as well as the widest variety of their ternaries ever reported. We establish the phase spaces of the plasma energy (6.9-10.5 eV) and the work function (3.7-5.1 eV) of these complex nitrides with their lattice constant (0.416-0.469 nm) and we investigate the limits of their applications.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
electrical conductivity, lattice constants, metallurgy, semiconductor thin films, solid-state plasma, stoichiometry, work function, thin-films, microstructure, metallization, contacts
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000265285200042
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών