Germanium metal-insulator-semiconductor capacitors with rare earth La2O3 gate dielectric
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Mavrou, G.
Galata, S. F.
Sotiropoulos, A.
Tsipas, P.
Panayiotatos, Y.
Dimoulas, A.
Evangelou, E. K.
Seo, J. W.
Dieker, C.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Microelectronic Engineering
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
In this work, we investigate La2O3 as a gate dielectric candidate for Ge devices, using metal-insulator-semiconductor (MIS) structures. When the deposition temperature increases, the electrical characteristics improve with regard to dispersion in accumulation, hysteresis, stretch out, leakage current and interface state density D-it. By analyzing the CV data for films with different oxide thickness we find that the dielectric constant of La2O3 has a medium k-value of about 11. The same data indicate that there is no interfacial layer, which is confirmed by high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) observations. These results suggest that a strong reaction with the Ge substrate may take place so that a La-Ge-O compound may form over the entire film thickness reducing the k-value. This reaction layer could be responsible for the reduction of Dit indicating good passivating properties. However, it may limit gate oxide scaling in future Ge MOS devices.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
germanium, passivation, rare earth oxides
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000247378600113
http://ac.els-cdn.com/S0167931707003863/1-s2.0-S0167931707003863-main.pdf?_tid=d8a1e9a4a4ed86d1596d11ad2eb4a750&acdnat=1334220010_35706e508c25e77768ddb7076bc6f680
http://ac.els-cdn.com/S0167931707003863/1-s2.0-S0167931707003863-main.pdf?_tid=d8a1e9a4a4ed86d1596d11ad2eb4a750&acdnat=1334220010_35706e508c25e77768ddb7076bc6f680
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Επιστημών και Τεχνολογιών. Τμήμα Βιολογικών Εφαρμογών και Τεχνολογιών