Device characterization for amorphous diamond-like carbon-silicon heterojunctions
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Journal of Applied Physics
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
We report here on the electrical characterization of Al/a-C:H/n-Si devices, where the a-C:H films were ion implanted with boron. The current-voltage characteristics versus temperature demonstrated the creation of p-n heterojunctions and Schottky diodes. Maximum current outputs were reached faster for higher temperatures. Lower doses of boron implants produced Schottky diode characteristics, with a current saturation in the forward region due to the existing barrier. The values of the output currents increased with temperature and implanted dose. (C) 1998 American Institute of Physics. [S0021-8979(98)00120-0]
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000076185100089
http://link.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000084000008004634000001
http://link.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000084000008004634000001
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Επιστημών και Τεχνολογιών. Τμήμα Βιολογικών Εφαρμογών και Τεχνολογιών