MOS memory devices based on silicon nanocrystal arrays fabricated by very low energy ion implantation
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Normand, P.
Kapetanakis, E.
Tsoukalas, D.
Kamoulakos, G.
Beltsios, K.
Van den Berg, J.
Zhang, S.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Elsevier
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Materials Science & Engineering C-Biomimetic and Supramolecular Systems
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The electrical characteristics of Si nanocrystal-based MOS memory devices are studied. The nanocrystals are fabricated into 8-nm thin oxide by very low energy Si+ implantation at different doses and subsequent annealing. TEM work suggests that Si nanocrystals develop at a density, size and perfection that vary strongly with the implanted dose and these structural features are found compatible with the device transfer characteristics. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
si, implantation, nanocrystals, memory, si
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000170709600034
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών