Formation of 2-D arrays of semiconductor nanocrystals or semiconductor-rich nanolayers by very low-energy Si or Ge ion implantation in silicon oxide films
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Normand, P.
Beltsios, K.
Kapetanakis, E.
Tsoukalas, D.
Travlos, T.
Stoemenos, J.
Van Den Berg, J.
Zhang, S.
Vieu, C.
Launois, H.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Elsevier
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The structure evolution of annealed low-energy Si- or Ge-implanted thin and thick SiO2 layers is studied. The majority of Si (or Ge) species is restricted within a 3-4 nm thick layer. Si is able to separate and crystallize more easily than Ge. The glass transition temperature of the as-implanted structure has a significant effect on the progress of phase transformations accompanying annealing. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
si, ge, implantation, sio2, nanocrystals, glass transition
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000169403700011
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών