Structural, electrical, and low-frequency-noise properties of amorphous-carbon-silicon heterojunctions
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Hastas, N. A.
Dimitriadis, C. A.
Patsalas, P.
Panayiotatos, Y.
Tassis, D. H.
Logothetidis, S.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
American Institute of Physics
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Journal of Applied Physics
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The structural, electrical, and low-frequency-noise properties of heterojunctions of amor- phous-carbon (a-C) films grown on either n- or p-type single-crystal silicon are investigated. The a-C films were deposited by rf magnetron sputtering at room temperature with varying the substrate bias V-b, from +10 to -200 V. The study includes measurements of x-ray reflectivity (XRR), low-frequency noise at room temperature, and dark current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics over a wide temperature range. Analysis of the XRR data indicates the presence of a thin SiC layer between a-C and Si, with thickness increasing up to about 1.8 nm for V-b = -200 V. The results show that the noise properties of the devices are independent of the SiC interlayer and the a-C film deposition conditions, while the noise of the a-C/n-Si heterojunctions is about four orders of magnitude lower than that of the a-C/p-Si heterojunctions. Analysis of the I-V and C-V data shows that the rectification properties of the a-C/n-Si heterojunctions are governed by conventional heterojunction theory, while multistep tunneling is the current conduction mechanism in a-C/p-Si heterojunctions due to a high density of interface states. (C) 2001 American Institute of Physics.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
diamond-like carbon, nitride thin-films, titanium nitride, n-type, interface, contacts
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000167133000052
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών