Quantum Transport Measurements on Si Delta-Doped and Slab-Doped In0.53ga0.47as Grown by Molecular-Beam Epitaxy
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Mcelhinney, M.
Skuras, E.
Holmes, S. N.
Johnson, E. A.
Long, A. R.
Stanley, C. R.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Elsevier
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Journal of Crystal Growth
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
A series of high quality delta-doped In-0.53,Ga0.47As samples have been grown lattice matched to InP with design doping densities in the range 2 x 10(12) to 5 x 10(12) cm(-2). Analysis of the individual sub-band densities deduced from the Shubnikov-De Haas effect shows that both spreading and amphoteric behaviour increase with doping density.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
gaas
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://A1995RC73100051
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών