Comparative study of different current mode sense amplifiers in submicron CMOS technology
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Chrisanthopoulos, A.
Moisiadis, Y.
Tsiatouhas, Y.
Arapoyanni, A.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Iee Proceedings-Circuits Devices and Systems
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
A comparison of different current mode sense amplifiers using 0.25 mum CMOS technology is presented. The sense amplifiers under consideration are suitable for current sensing in SRAM and Flash non-volatile memories. Simulation results are given regal-ding the sensing delay time for different power supply voltages V-dd and bit-line capacitance values. Comparative results are also provided for the energy dissipated per sensing operation. while worst-case and high-temperature simulations are included, in order to expose limitations of the sensors in various operating conditions.
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
sram
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Ηλεκτρονικών Υπολογιστών και Πληροφορικής