Noise characterization of sputtered amorphous carbon films
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Hastas, N. A.
Dimitriadis, C. A.
Panayiotatos, Y.
Tassis, D. H.
Patsalas, P.
Logothetidis, S.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
American Institute of Physics
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Journal of Applied Physics
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
Low-frequency noise measurements have been carried out at room temperature in amorphous carbon (alpha-C) thin films with the current I as the parameter. The alpha-C films, rich in sp(2) bonds, were prepared by rf magnetron sputtering at room temperature. Hall measurements performed at room temperature show that the alpha-C films are p-type semiconductors with a hole concentration of about 2.8x10(18) cm(-3). In alpha-C film grown on oxidized silicon wafer, the current shows an ohmic behavior for low applied voltages, while the conduction mechanism is dominated by the Poole-Frenkel effect for high applied voltages. In the linear voltage region, the power spectral density of the current fluctuations exhibits 1/f(gamma) (with gamma < 1) behavior and is proportional to I-2. Using a noise model based on trapping-detrapping of holes of the valence band and the gap states of exponential energy distribution, the noise data can provide an assessment of the distribution of traps within the band gap of the alpha-C material. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0021-8979(00)06722-0].
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
doped diamond, silicon
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000089813800088
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών