Shubnikov-de Haas effect and persistent photoconductivity in In0.52Al0.48As
Φόρτωση...
Ημερομηνία
Συγγραφείς
Skuras, E.
Stanley, C. R.
Long, A. R.
Johnson, E. A.
MacKinnon, A.
Yaguchi, H.
van der Burgt, M.
Singleton, J.
Τίτλος Εφημερίδας
Περιοδικό ISSN
Τίτλος τόμου
Εκδότης
American Institute of Physics
Περίληψη
Τύπος
Είδος δημοσίευσης σε συνέδριο
Είδος περιοδικού
peer reviewed
Είδος εκπαιδευτικού υλικού
Όνομα συνεδρίου
Όνομα περιοδικού
Journal of Applied Physics
Όνομα βιβλίου
Σειρά βιβλίου
Έκδοση βιβλίου
Συμπληρωματικός/δευτερεύων τίτλος
Περιγραφή
The Shubnikov-de Haas effect in InAlAs measured using pulsed magnetic fields up to 50 T is reported. The InAlAs samples were grown by molecular beam epitaxy (MBE) and were either delta or slab doped with silicon at densities up to 7 x 10(12) cm(-2). Comparison of experimental subband densities with those calculated self-consistently shows that spreading of Si occurs by surface segregation at growth temperatures of similar to 520 degrees C, similar to its behavior in MBE-grown InGaAs. In contrast to InGaAs, the InAlAs exhibits persistent photoconductivity which appears to be caused by a bulk defect rather than DX(Si) states. (C) 1999 American Institute of Physics. [S0021-8979(99)00423-5].
Περιγραφή
Λέξεις-κλειδιά
molecular-beam epitaxy, delta-doped gaas, si, mobilities, saturation, transport
Θεματική κατηγορία
Παραπομπή
Σύνδεσμος
<Go to ISI>://000083729000104
Γλώσσα
en
Εκδίδον τμήμα/τομέας
Όνομα επιβλέποντος
Εξεταστική επιτροπή
Γενική Περιγραφή / Σχόλια
Ίδρυμα και Σχολή/Τμήμα του υποβάλλοντος
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Μηχανικών Επιστήμης Υλικών